1. Gas source molecular beam epitaxy: growth and properties of phosphorus containing III-V heterostructures
پدیدآورنده : Panish, M.B.
کتابخانه: Central Library and Information Center of Ferdowsi University of Mashhad (Khorasan Razavi)
موضوع : ، Molecular beam epitaxy,، Gallium arsenide semiconductors
رده :
QC
611
.
6
.
M64
P36
1993